基本信息出版社：高等教育出版社
页码：243 页
出版日期：2007年12月
ISBN：9787040226218
条形码：9787040226218
版本：第4版
装帧：平装
开本：16
正文语种：中文
丛书名：普通高等教育“十一五”国家级规划教材
内容简介 《普通物理实验》一套书共4册，分为一、力学、热学部分，二、电磁学部分，三、光学部分，四、综合及设计部分。此次是在2000年第三版基础上修订而成的。此次修订保持了原书通用性好、可读性强及注重能力的培养的特色，并基本上保持了原来的框架，同时为适应教学的发展，在内容上有一些增删和改变。《普通物理实验2电磁学部分》为这套书的第二分册，是电磁学实验部分，删去原书部分过时的内容，增加了数字电表的使用和新的内容。《普通物理实验2电磁学部分》可作为高等学校本科物理专业及相近专业普通物理实验课的教材，也可供师专使用。
编辑推荐 《普通物理实验2电磁学部分》由高等教育出版社出版。
目录
绪论
1 测量数据处理的基本问题
2 两个变量关系的研究——作图法
3 两个变量线性关系的研究——简化拟合法
4 两个变量关系的研究——最小二乘法
5 电磁学实验基础知识
5-1 电表
5-2 万用电表
5-3 电阻器
5-4 直流电源
5-5 电磁学实验中用的标准器
实验一 制流电路与分压电路
实验二 伏安法测电阻
实验三 伏安法测二极管或白炽灯的特性
实验四 静电场的描绘
实验五 用惠斯通电桥测电阻
实验六 半导体热敏电阻特性的研究
实验七 硅光电池特性的研究
实验八 数字多用表的测量原理和应用
实验九 低电阻的测量
实验十 万用电表的制作与定标
实验十一 灵敏电流计特性的研究
实验十二 冲击电流计特性的研究
实验十三 用冲击电流计测电容及高电阻
实验十四 用冲击电流计测螺线管内轴线上磁场的分布
实验十五 用冲击电流计测铁磁物质的磁化曲线
实验十六 磁场的描绘
实验十七 磁致伸缩系数的测定
实验十八 霍耳效应
实验十九 温差电偶的定标
实验二十 电子示波器的使用
实验二十一 铁磁物质动态磁滞回线的测试
实验二十二 电子束的偏转
实验二十三 电子束的聚焦
实验二十四 交流电路功率的测量
实验二十五 交流电桥
实验二十六 LRC电路的稳态特性
实验二十七 LRC电路的暂态过程研究
实验二十八 LRC电路谐振特性的研究
实验二十九 地磁场水平分量测量
……
序言 本套书共四册，一、力学、热学部分，二、电磁学部分，三、光学部分，四、综合及设计部分。本册书是第二分册。
2005年11月，我们接到高等教育出版社的委托书，让我们对现用的第三版进行修订。我们商讨之后，和出版社共同认定，此次修订的原则是在保持原书基本框架的条件下，删去过时或不合适的内容，增加些新的内容，特别是增加一些有利于加强对学生素质教育的问题。据此我们对普通物理实验课的目标定为：
（1）学习基本实验方法和操作技能，在观察、测量与分析中，加深对物理学的认识；
（2）学习实验的物理思想，为用实验方法探索问题有一定的基本训练；
（3）培养学生的思维能力，主要是分析问题、解决问题和提出问题的能力，增强学生的素质，以适应学生各种可能的发展方向。
对于实验装置，我们认为应让学生自己动手去组装，在组装过程中对动手和用脑都是训练，对实验也有全面的认识。学生在动手组装过程中，可能遇到一些困难和错误，但这并不是坏事，只要引导得法，就能在分析、解决问题过程中增长才干，增强信心，对将来学生自己独立工作将是宝贵的经验。
在以上修订原则的指导下，本册修订的主要工作有：
1．去掉了实验七和实验八有关板式电势差计和箱式电势差计的内容，补充了硅光电池和数字多用表两个题目；
2．适当增加了一些新的仪器使用简介；
3．对一些名词的说法进行了规范；
4．订正了发现的错误。
本册修订工作的分工如下：华东师范大学宦强完成了部分绪论内容和实验七的修订工作，其余部分修订工作由华东师范大学杨介信完成。
这次修订工作得到了高等教育出版社的大力支持，他们协助我们拟订了修订原则；其次有关学校的领导对我们的工作也给予了很大的鼓励；我们还特别感谢华东师范大学物理系及物理实验教学中心的有关同志的多方帮助。此次修订工作的完成，是参与修订工作的同志共同努力的结果，但也有曾参加此书的编写而未能参加此次修订工作的同志们的心血。
文摘 插图：
热敏电阻是阻值对温度变化非常敏感的一种半导体电阻，它具有许多独特的优点，如能测出温度的微小变化，能长期工作，体积小，结构简单等。它在自动化、遥控、无线电技术、测温技术等方面都有广泛的应用。
热敏电阻的基本特性是温度特性。在半导体中原子核对价电子的约束力要比金属中的大，因而自由载流子数较少，故半导体的电阻率较高而金属的电阻率很低，由于半导体中的载流子数目是随着温度升高而按指数激烈地增加，载流子的数目越多，导电能力越强，电阻率就越小，因此热敏电阻随着温度升高，它的电阻率将按指数规律迅速地减小。这和金属中自由电子导电恰好相反，金属的电阻率是随温度上升而缓慢地增大的。图6—1是热敏电阻值和金属铂电阻随温度而变化的特性曲线图。
由实验可知，当温度由0℃变到300℃时金属铂的电阻值总共变化1倍；而一般的热敏电阻率变化可达几倍到几十倍，所以半导体的电阻温度系数远大于金属。