基本信息出版社：高等教育出版社
页码：199 页
出版日期：2005年01月
ISBN：7040164841
条形码：9787040164848
版本：第1版
装帧：平装
开本：16
正文语种：中文
丛书名：高等学校教材
内容简介 《光电子技术》介绍电子技术的理论和应用基础，讲述光电子系统中关键器件的原理、结构、应用技术和新的发展。第1章介绍光电系统中常用的光源。第2章介绍光调制技术和典型的光调制器。第3章介绍光电转换的理论基础、重要的光探测器及其应用技术。第4章介绍CCD、CMOS图像传感器和图像增强器等光电成像器件。第5章介绍光存储器及其新技术。第6章介绍LCD、OLED、PDP、DMD等当前最引人注目的平板显示器件。《光电子技术》适用于光信息科学与技术、电子科学与技术、信息工程、应用物理等本科专业课，也可供高校其它相关专业师生和科技人员参考。《光电子技术》取材较新，深入浅出，应用性强，因而本科以下或以上层次的光电子技术课也可选作教材或参考书。
编辑推荐 《光电子技术》是由高等教育出版社出版的。
目录
第1章 光电系统的常用光源
1.1 辐射度学与光度学的基础知识
1.2 热辐射光源
1.3 气体放电光源
1.4 激光器
1.5 发光二极管（LED）
练习与思考题
第2章 光辐射的调制
2.1 机械调制
2.2 电光调制
2.3 声光调制
2.4 磁光调制
练习与思考题
第3章 光辐射探测器
3.1 光辐射探测器的理论基础
3.1.1 光热效应
3.1.2 光电效应
3.1.2.1 半导体中的载流子
3.1.2.2 光电导效应
3.1.2.3 光伏效应
3.1.2.4 光电发射效应
3.1.3 光探测器的噪声
3.1.4 光探测器的性能参数
3.2 光热探测器
3.2.1 热敏电阻
3.2.2 热释电探测器
3.3 光电探测器
3.3.1 光电导器件
3.3.2 结型光电器件
3.3.2.1 基本原理
3.3.2.2 光电池
3.3.2.3 光电二极管
3.3.2.4 光电三极管
3.3.2.5 光电场效应管
3.3.2.6 集成光电器件
3.3.3 光电发射器件
3.3.3.1 光电管
3.3.3.2 光电倍增管
练习与思考题
第4章 光电成像器件
4.1 摄像管
4.2 摄像器件的性能参数
4.3 电荷耦合器件
4.4 CMOS图像传感器
4.5 图像增强器
练习与思考题
第5章 光存储器
5.1 存储器概述
5.2 光盘存储器工作原理
5.3 CD、VCD、DVD、可擦写光盘
5.4 光盘技术的发展
练习与思考题
第6章 平板显示器件
6.1 液晶显示器（LCD）
6.2 LED显示器
6.3 等离子体显示器（PDP）
6.4 DLP投影显示
练习与思考题
参考文献
……
序言 20世纪，电子学及微电子技术、计算机技术飞速发展并取得了令人瞩目的成就，因此，人们称20世纪是电子学世纪。然而，20世纪60年代，激光器的出现带来了划时代的变革。经过半个世纪的发展，现代光学技术能够产生巨大能量和信息容量，具有高速、并行传输与处理的能力，可以非接触、高精度地检测。已经有许多非凡的成果推动了社会生活，向人们展示：21世纪已步入光子与电子交相辉映的全新时代。
光电子技术正是由电子技术和光子技术互相渗透、优势结合而产生的，包括光电子信息技术和光电子能量科学技术。光电子技术在现代科技、经济、军事、文化、医学等领域发挥着极其重要的作用，以此为支撑的光电子产业是世界上争相发展的支柱产业，是竞争激烈、发展最快的高科技产业的主力军。
光电子科学、技术和产业的发展最关键的是人才。本教材力求比较全面地介绍光电子技术的理论和应用基础，介绍光电子系统中关键器件的原理、结构、应用技术和新的发展。本书在阐明基本原理的同时，还突出了应用技术，使学生能够把握光电子技术的总体框架，有兴趣、有信心投入实践和创新活动。
文摘 插图：
对于金属，光电发射过程是：金属中的电子吸收光子后被激发到高能态。被激发的电子向表面运动，在运动过程中因碰撞而损失部分能量，到达表面的电子克服势垒而逸出。由于金属对光的反射强，吸收少，体内自由电子多，电子散射造成较大的能量损失，逸出深度小，并且逸出功也较大，因此金属光电发射的量子效率都很低。同时，大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区，因此只能适用于要求对紫外敏感的光电器件。随着光电器件的发展，特别是微光夜视器件的发展，不但在可见光范围，而且在近红外和红外范围都要求有量子效率高的光电发射材料，从而研制出目前广泛应用的半导体光电发射材料。
半导体光电发射的量子效率远高于金属。光电发射的过程是体积效应，表面效应虽然也存在，但其作用只是引起表面势垒弯曲，降低电子逸出功，从而提高光电发射能力。
从上面可知，半导体的电子逸出功与电子亲和势密切相关。实际上，在离半导体表面一定的深度内，其能带是弯曲的。这种表面能带的弯曲势必影响体内导带中的电子逸出表面所需的能量，也就是改变了它的电子逸出功。表面真空能级位于导带之上的光电材料属正电子亲和势（PEA）类型。但如果给半导体的表面作特殊处理，使表面区域能带弯曲，真空能级降到导带之下，从而使有效的电子亲和势为负值，经这种特殊处理的材料称作负电子亲和势（NEA）材料。NEA材料的电子逸出功大大降低，从而使光谱响应可扩展到红外区。