基本信息出版社：高等教育出版社
页码：435 页
出版日期：2008年12月
ISBN：9787040249293
条形码：9787040249293
版本：第1版
装帧：平装
开本：16
正文语种：中文
内容简介 《电子线路》是普通高等教育“十一五”国家级规划教材。随着科学技术的迅猛发展，各类专业设置的课程有所增加，电子线路课程的学时有减少的趋势。为适应这种形势，《电子线路》力争修订成一本更加简明的教材，经过弃粗取精、突出重点，在第四版共11章的基础上，修订为新版的10章。《电子线路》主要内容包括：基本半导体器件、放大电路基础、集成运算放大电路、反馈放大电路、波形发生电路、直流稳压电源、数字电路基础、组合逻辑电路、触发器和时序逻辑电路、脉冲电路及模数转换。
《电子线路》由华中科技大学陈大钦教授审稿。
《电子线路》可作为高等学校理科物理专业电子线路课程的教材，也适用于高等院校电子线路课时较少的各类专业教学使用，还可供从事电子线路工作的工程技术人员参考。
作者简介 梁明理，武汉大学教授。1934年出生于广东省阳江市，1956年毕业于武汉大学物理系电离层与电波传播专业。其后留校任教。1960年起，长期从事无线电基础和电子线路等课程的理论课和实验课的教学工作。长期担任物理系电子学教研室主任。
编辑推荐 《电子线路》具有以集成电路为主干的体系，保证教材内容有适合国情的先进性。为了保持本书具有完整的而又十分自然的体系，不再把线性电路简介设立为一章，而把其中必须学习的内容，作为附录安排在有关章节之中。为保持教材的简明性，删弃了上一版中阐述比较肤浅的半导体存储器一章。这部分的知识，学生在后续计算机课程中，将会更加全面和系统地学到。为便于教学，本版仍设置有较多的例题和习题，章末编入小结，书末给出习题解答。
目录
第1章 基本半导体器件
引言
1.1 PN结
1.1.1 本征半导体
1.1.2 杂质半导体
1.1.3 PN结的形成
1.1.4 PN结的特性
1.2 二极管
1.2.1 二极管的结构及符号
1.2.2 二极管的伏安特性
1.2.3 二极管的主要参数
1.2.4 二极管应用举例
1.3 双极型晶体管
1.3.1 晶体管的结构及符号
1.3.2 晶体管的电流放大作用
1.3.3 晶体管的共射组态特性曲线
1.3.4 晶体管的主要参数
1.4 场效应管
1.4.1 结型场效应管
1.4.2 绝缘栅场效应管
1.4.3 场效应管的主要参数
1.4.4 场效应管使用注意事项
1.4.5 场效应管与双极型晶体管的比较
附录1.1 半导体器件的命名方法
小结
习题与思考题
第2章 放大电路基础
引言
2.1 放大电路的组成及工作原理
2.1.1 放大电路的功能及组成
2.1.2 放大电路的性能指标
附录2.1.1 信号的频谱分析
2.2 放大电路的图解分析法
2.2.1 用图解法确定静态工作点
2.2.2 用图解法分析动态工作情况
2.2.3 用图解法分析放大电路的非线性失真
2.3 放大电路的等效电路分析法
2.3.1 晶体管的h参数及其小信号等效电路
2.3.2 用h参数小信号等效电路分析基本放大电路
2.3.3 带R，的共发射极放大电路的分析
附录2.3.1 电压源和电流源
附录2.3.2 线性网络的几个定理
2.4 放大电路工作点的稳定
2.4.1 温度变化对工作点的影响
2.4.2 分压式偏置稳定电路
2.5 共集电极放大电路
2.5.1 静态工作点
2.5.2 电压放大倍数
2.5.3 输入电阻和输出电阻
2.5.4 主要特点和应用
2.6 共基极放大电路
2.6.1 电压放大倍数
2.6.2 输入电阻和输出电阻
2.7 单管放大电路的频率特性
2.7.1 放大电路频率特性的概念
2.7.2 晶体管的混合参数型等效电路
2.7.3 单管放大电路的频率特性
2.8 多级放大电路
2.8.1 多级放大电路的耦合方式
2.8.2 多级放大电路的电压放大倍数
2.8.3 多级放大电路的频率特性
2.9 差分放大电路
2.9.1 基本差分放大电路
2.9.2 带恒流源的差分放大电路
2.10电流源电路
2.10.1 镜像恒流源电路
2.10.2 微电流源电路
2.10.3 多路输出恒流源电路
2.10.4 有源负载放大电路
2.1l 互补对称功率放大电路
2.11.1 功率放大电路的特点和要求
2.11.2 乙类互补对称功率放大电路
2.11.3 甲乙类互补对称功率放大电路
2.11.4 准互补对称功率放大电路
2.11.5 集成功率放大器
2.12 场效应管放大电路
2.12.1 场效应管的小信号等效电路
2.12.2 等效电路法分析场效应管放大电路
小结
习题与思考题
第3章 集成运算放大电路
引言
3.1 集成运放的基本单元电路
3.1.1 集成运放的组成及电路符号
3.1.2 集成运放输入级
3.1.3 集成运放中间级
3.1.4 集成运放输出级
3.2 集成运放的典型电路和参数
3.2.1 集成运放典型电路的分析
3.2.2 集成运放的主要参数
3.3 集成运放的基本电路
3.3.1 理想运放的特性
3.3.2 由集成运放组成的基本电路.
3.4 基本运算电路
3.4.1 加、减法运算电路
3.4.2 积分和微分运算电路
小结
习题与思考题
第4章 反馈放大电路
引言
4.1 反馈的基本概念与分类
4.1.1 反馈的基本概念
4.1.2 反馈的基本类型
4.1.3 反馈的一般表达式
4.2 负反馈对放大电路性能的影响
4.2.1 提高放大倍数的稳定性
4.2.2 扩展频带
4.2.3 减小非线性失真
4.2.4 对输入电阻和输出电阻的影响
4.2.5 对放大电路稳定性的影响
4.3 深度负反馈放大电路的近似计算
4.3.1 深度负反馈放大电路的特点
4.3.2 具有深度负反馈放大电路计算举例
小结
习题与思考题
第5章 波形发生电路
引言
5.1 正弦波振荡电路
5.1.1 正弦波振荡电路的基本原理
5.1.2 RC串并式正弦波振荡电路
5.1.3 LC正弦波振荡电路
5.1.4 晶体振荡电路
5.2 电压比较器
5.2.1 单限比较器
5.2.2 滞回比较器
5.3 非正弦波发生电路
5.3.1 矩形波发生电路
第6章 直流稳压电源
第7章 数字电路基础
第8章 组合逻辑电路
第9章 触发器和时序逻辑电路
第10章 脉冲电路及模数转换
部分习题答案
参考文献
……
序言 《电子线路》（第五版）是普通高等教育“十一五”国家级规划教材，新版是在第四版的基础上，通过教学实践、总结提高修订而成的。理科是实验科学的学科，学生在实践中需要很多电子技术知识，因而要求电子线路课程应给学生打好一个有一定深度和广度的基础，但由于理科的课程很多，一般只能给电子线路课程安排72～90学时。随着科学的日益发展，理科教学计划安排的课程有所增加，电子线路课程的学时数有被压缩的趋势，而在新的形势下，电子技术领域的内容，将更加丰富。
因此要求本书要进一步抓住重点，精选内容，删繁就简，修订成一本更加简明的教材。为了达到这一要求，本书修订时着重作了下述两点安排：1.压缩模拟电路，将第四版中共7章的模拟电路修订为新版的6章，削减了理科可不作要求的反馈若干分析、模拟乘法器和有源滤波等内容。2.加强数字电路，对这部分内容，仅删弃了数字电压表等少量内容。由于模拟电路压缩较多，相对地加强了数字电路。
本版1、2、3、4章由朱俊修订，第5、6、7章由梁明理修订，第8、9、10章由孙尽尧修订。梁明理为主编，负责全书编写的策划、组织和定稿，朱俊、孙尽尧为副主编，协助主编工作。本书由华中科技大学陈大钦教授审稿。陈教授以十分严谨的科学态度，认真细致地审阅了全书，提出了许多宝贵的意见，为提高本书的质量作出了很大的贡献，在此谨表衷心的感谢！同时，也向给本书前版提出意见和建议的读者和教师表示衷心的感谢！由于编者学术水平的限制以及编写工作的疏漏，新版书中必有错误和不妥之处，恳请读者批评指正。
文摘 插图：
外界影响，价电子摆脱不了共价键的束缚，不能成为自由电子。这时本征半导体内没有载流子，它相当于绝缘体。
在室温下，共价键中的电子从晶格振动获得能量，由于热分布的关系，总有一些价电子能获得较大的能量，足以克服共价键的束缚成为自由电子，即电子载流子，如图1.1.1所示。理论证明，在室温（300 K）时，硅晶体中的价电子必须获得大于电离能Ec=1.1 eV（对于锗，E：=0.72 eV）的能量，才能摆脱共价键的束缚成为自由电子。在价电子变为自由电子的同时，就在原来共价键处留下一个空位，这个空位称为空穴。空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。在共价键中出现空穴时，相邻共价电子对中的价电子比较容易离开它所在的共价键，填充到这个空穴中来，而在原共价键处又留下新的空穴，这个空穴又可被相邻原子的价电子填充，这样依次填充下去，便表现为空穴的移动。我们可以把空穴看成带正电的粒子（所带电量与电子相等、符号相反），那么在外电场的作用下，它可以在晶体中定向运动而形成电流。这也就是说，在本征半导体中有两种载流子，即自由电子和空穴。而通常的导体中只有自由电子，没有空穴。
在本征半导体内，受激产生一个自由电子时，必然相伴产生一个空穴，电子和空穴是成对产生的，这种现象称为本征激发。在任何情况下，在本征半导体中所生成的自由电子数量与所生成的空穴数量总是相等的。与本征激发相反的过程是自由电子在运动中，又会遇到空穴，并与空穴相结合而消失，这一过程称为复合。在本征半导体中，载流子总是不断地产生，又总是不断地复合，在一定的温度下，电子空穴对的产生与复合最终达到动态平衡，使载流子浓度为定值。在半导体材料确定后，载流子的浓度与温度有关，随着温度的升高，载流子浓度近似按指数规律迅速增大。在室温附近，温度每升高8℃，硅的载流子浓度增加一倍。由此可见，温度是影响半导体性能的一个重要因素。