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《微电子器件(第3版)》为普通离等教商“十一五”国家级规划教材。本教材原书名为《晶体管原理与设计》，为适应近年来微电子技术的新发展，以便更贴切地反映课程内容，这次的第3版将教材名称改为《微电子器件》。与国内外同类教材相比，本教材特点如下：强调基本概念，突出物理图像，避免繁杂数学公式的推导，力图使教材内容更精练。半导体器件的基本方程，专设一章进行介绍，这对于学生梳理清楚后面出现的大量纷繁复杂的数学公式有很大的帮助。保留了关于微电子器件的噪声特性的内容，可供学生将来工作时参考。增加异质结器件内容，主要包括高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）这两类异质结器件。

目录

第1章 半导体器件基本方程
1.1 半导体器件基本方程的形式
1.2 基本方程的简化与应用举例
本章参考文献

第2章 PN结
2.1 PN结的平衡状态
2.1.1 空间电荷区的形成
2.1.2 勺建电场、内建电势与耗尽区宽度
2.1.3 能带图
2.1.4 线性缓变结
2.1.5 耗尽近似和中性近似的适用性
2.2 PN结的直流电流电压方程
2.2.1 外加电压时载流子的运动情况
2.2.2 势垒区两旁载流子浓度的玻耳兹曼分布
2.2.3 扩散电流
2.2.4 势垒区产生复合电流
2.2.5 iE向导通电压
2.2.6 薄基区二极管
2.3 准费米能级与大注入效应
2.3.1 自由能与费米能级
2.3.2 准费米能级
2.3.3 大注入效应
2.4 PN结的击穿
2.4.1 碰撞电离率和雪崩倍增因子
2.4.2 雪崩击穿
2.4.3 齐纳击穿
2.4.4 热击穿
2.5 PN结的势垒电容
2.5.1 势垒电容的定义
2.5.2 突变结的势垒电容
2.5.3 线性缓变结的势垒电容
2.5.4 实际扩散结的势垒电容
2.6 PN结的交流小信号特性与扩散电容
2.6.1 交流小信号下的扩散电流
2.6.2 交流导纳与扩散电容
2.6.3 二极管的交流小信号等效电路
2.7 PN结的开关特性
2.7.1 PN结的直流开关特性
2.7.2 PN结的瞬态开关特性
2.7.3 反向恢复过程
2.7.4 存储时间与下降时间
2.8 SPICE中的二极管模型
习题二
本章参考文献

第3章 双极结型晶体管
3.1 双极结型晶体管基础
3.1.1 双极结型晶体管的结构
3.1.2 偏压与工作状态
3.1.3 少子浓度分布与能带图
3.1.4 晶体管的放大作用
3.2 均匀基区晶体管的电流放大系数
3.2.1 基区输运系数
3.2.2 基区渡越时间
3.2.3 发射结注入效率
3.2.4 电流放大系数
3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数
3.3.1 基区内建电场的形成
3.3.2 基区少子电流密度与基区少子浓度分布
3.3.3 基区渡越时间与输运系数
3.3.4 注人效率与电流放大系数
3.3.5 小电流时放大系数的下降
3.3.6 发射区重掺杂的影响
3.3.7 异质结双极型晶体管
3.4 双极结型晶体管的直流电流电压方程
3.4.1 集电结短路时的电流
3.4.2 发射结短路时的电流
3.4.3 晶体管的直流电流电压方程
3.4.4 晶体管的输出特性
3.4.5 基区宽度调变效应
3.5 双极结型晶体管的反向特性
3.5.1 反向截止电流
3.5.2 共基极接法中的雪崩击穿电压
3.5.3 共发射极接法中的雪崩击穿电压
3.5.4 发射极与基极间接有外电路时的反向电流与击穿电压
3.5.5 发射结击穿电压
3.5.6 基区穿通效应
3.6 基极电阻
3.6.1 方块电阻
……

第4章 绝缘栅型场效应晶体管
第5章 半导体异质结器件

文摘

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