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《模拟集成电路的分析与设计(第4版)(翻译版)》是教育部高等教育司推荐，国外优秀信息科学技术系列教学用书。
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《模拟集成电路的分析与设计(第4版)(翻译版)》的主要内容包括：集成电路的有源器件模型，双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术，单晶体管和多晶体管放大器，电流镜、有源负载及其电压和电流参考值，输出的运算放大器，集成电路的频率响应，反馈，反馈放大器的频率响应与稳定性，非线性模拟电路，集成电路中的噪声，全差分运算放大器。《模拟集成电路的分析与设计(第4版)(翻译版)》可用作高等学校电子信息类本科生的教材或参考书。

作者简介

作者：（美国）格雷（Paul R.Gray） （美国）Paul J.Hurst （美国）Stephen H.Lewis 等 译者：张晓林

目录

第一章 集成电路放大器件模型
1.1 引言
1.2 pn结的耗尽区
1.2.1 势垒电容
1.2.2 结击穿
1.3 双极型晶体管的大信号特性
1.3.1 正向放大区的大信号模型
1.3.2 集电极电压对正向放大区大信号特性的影响
1.3.3 饱和区和反向放大区
1.3.4 晶体管击穿电压
1.3.5 工作条件决定晶体管电流增益
1.4 双极型晶体管的小信号模型
1.4.1 跨导
1.4.2 基区寄生电容
1.4.3 输入电阻
1.4.4 输出电阻
1.4.5 双极型晶体的基本小信号模型
1.4.6 集电极－－基极电阻
1.4.7 小信号模型的寄生单元
1.7.8 晶体管频率呼应特性
1.5 金属氧化物效晶体管的大信号特性
1.5.1 MOS器件的转移特性
1.5.2 双极型晶体管和MOS晶体管工作区的比较
1.5.3 栅－源电压的分解
1.5.4 阈值的温度独立性
1.5.5 MOS器件的电压限制
1.6 MOS晶体管的小信号模型
1.6.1 跨导
1.6.2 栅－源以及栅－漏固有电容
1.6.3 输入电阻
1.6.4 输出电阻
1.6.5 MOS晶体管的基本小信号模型
1.6.6 衬底跨导
1.6.7 小信号模型的寄生单元
1.6.8 MOS晶体管的频率呼应
1.7 MOS晶体管的短沟道效应
1.7.1 水平场中的速率饱和
1.7.2 跨导和特征频率
1.7.3 垂直场中的迁移率下降
1.8 MOS晶体客中的弱反型
1.8.1 弱反型中的漏极电流
1.8.2 弱反型区中的跨导和特征频率
1.9 晶体管中的衬底电流
附录
A.1.1 有源器件参数列表

第二章 双极型、MOS和BiCMOS集成电路技术
2.1 引言
2.2 集成电路产生的基本过程
2.2.1 硅的电阻率
2.2.2 固态扩散
2.2.3 扩散层的电特性
2.2.4 光刻工艺
2.2.5 外延生长
2.2.6 离子注入
2.2.7 局部氧化
2.2.8 多晶硅的淀积
2.3 高压双极型集成电路的制造
2.4 高级双极型集成电路的制造
2.5 双极型模拟集成电路中的放大器件
2.5.1 npn型晶体管集成电路
2.5.2 npn型晶体管集成电路
2.6 双极型集成电路中的无源元件
2.6.1 扩散电阻
2.6.2 外延生长电阻和外延夹断电阻
2.6.3 集成电路电容
2.6.4 齐纳二极管
2.6.5 结型二极管
2.7 基本双极型工艺的改进
2.7.1 电介质隔离法
2.7.2 高性能有源元器件的兼容处理
2.7.3 高性能无源元件
2.8 MOS集成电路的制造
2.9 MOS集成电路中的有源器件
2.9.1 n沟道晶体管
2.9.2 p沟道晶体管
2.9.3 耗尽型器件
2.9.4 双极型晶体管
2.10 MOS工艺中的无源器件
2.10.1 电阻
2.10.2 MOS工艺中的电容
2.10.3 CMOS技术的闩锁
2.11 BiCMOS技术
2.12 异质结双极型晶体管
2.13 互连延迟
2.14 集成电路制造过程的经济意义
2.14.1 集成电路制造过程的收益因素
2.14.2 集成电路制造中的成本核算
2.15集成电路的封装因素
2.15.1 最大功耗
2.15.2 集成电路封装中的稳定性因素
附录
A.2.1 SPICE模型参数

第三章 单级放大器与多级放大器
3.1 模拟电路近似分析中器件模型的选择
3.2 放大器的二端口模型
3.3 基本单管放大器
3.3.1 共射组态
3.3.2 共源组态
3.3.3 共基组态
3.3.4 共栅组态
3.3.5 有限时的共基与共栅组态
3.3.5.1 共基与共栅组态的输人电阻
3.3.5.2 共基与共栅组态的输出电阻
3.3.6 共集组态（射随器）
3.3.7 共漏组态（源极跟随器）
3.3.8 射极反馈的共射放大器
3.3.9 源极反馈的共源放大器
3.4 多级放大器
3.4.1 共集一共射，共集一共集及达林顿组态
3.4.2 串接组态
3.4.2.1 双极型串接组态
3.4.2.2 MOS晶体管串接组态
3.4.3 有源串接组态
3.4.4 超级源极跟随器
3.5 差分对
3.5.1 共射差分对的直流传输特性
3.5.2 射极反馈的直流传输特性
3.5.3 共源差分对的直流传输特性
3.5.4 差分放大器的小信号分析介绍
3.5.5 理想对称的差分放大器的小信号特性
3.5.6 差分放大器中的不匹配效应
3.5.6.1 输入失调电压和失调电流
3.5.6.2 共射差分对的等效输入失调电压
3.5.6.3 共射差分对的失调电压：近似分析
3.5.6.4 共射差分对的失调电压漂移
3.5.6.5 共射差分对的输入失调电流
3.5.6.6 共源差分对的输入失调电压
3.5.6.7 共源差分对的失调电压：

……
第三章 单级放大器与多级放大器
第四章 镜像电流源、有源负载和基准源
第五章 输出级
第六章 单端输出的运算放大器
第七章 集成电路的频率响应
第八章 反馈
第九章 反馈放大器的频率响应
第十章 非线性模拟电路
第十一章 集成电路的噪声
第十二章 全差分运算放大器
索引表

文摘

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对集成电路的设计者和使用者来说，制造过程的细节非常重要，其原因主要有两个。第一，IC技术迅速发展的主要原因在于它的经济优势，平面设计方法应用于制造复杂电路使批量化生产成为可能，从而降低了成本。因此，找出影响集成电路制造成本的因素对于设计者和使用者都是至关重要的，它直接影响设计者对解决特定要求电路仿真方法的选择和使用者对组成特定功能电路的常规电路的选择。第二，集成电路技术为电路设计者呈现出与分立元件组装而成的电路完全不同的成本节约形式。要在可以实现指定电路功能的仿真方法中选择最佳方法，需最大限度地理解技术和器件性能，在技术和性能均可以实现的前提下最便捷地应用于集成电路芯片的制造。
目前，模拟集成电路的设计和制造主要采用双极型技术、金属氧化物半导体（MOS）技术以及同一流程中两种类型器件相结合的技术。由于相同集成电路中需要兼具复杂数字功能模块与模拟功能模块，因此数字MOS技术在实现模拟功能方面的应用不断增加，尤其在实现模拟一数字转换功能的系统中要求有模拟信号与数字系统间的接口。与此同时，双极型技术正在而且将继续广泛地应用于需要大电流驱动能力的场合。
本章首先列举双极型和MOS集成电路制造的基本过程，包括：固态扩散、光刻工艺、外延生长、离子注入、选择氧化和多晶硅淀积。接着介绍了双极型集成电路的制造过程及在流程中的有源和无源器件的性质。同时，本书也对基本流程中的一些改进作了测试和分析。在接下来的部分，介绍了MOS集成电路的制造过程并且描述了实现这些改进技术的设备。然后将介绍BiCMOS工艺、硅一锗异质结晶体管和研究铝质导线和二氧化硅替代品得到的互连物质材料。本书还将分析影响单片电路生产成本的因素，并在最后阐述集成电路的封装思想。

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