《电力半导体新器件及其制造技术》介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件（包括GTO晶闸管、集成门极换流晶闸管（IGCT））、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT），以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与模拟技术。重点对GTO的单位电流增益、IGCT的透明阳极和波状基区，功率MOSFET的超结及IGBT的发射极电子注入增强（IE）等新技术进行了详细介绍。

网友对电力半导体新器件及其制造技术的评论

　半体技の勉では、来は英教科が主流でしたが、在は大または台湾の中国教科が大有用となってきており、この本もパワ半体のデバイスおよび造技のテキストとしてよくまとまっております。

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